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三星新EUV临盆线开端量产 首批产品将于本年Q1交付

【TechWeb】2月21日消息,据国外媒体报导,半导体技巧公司三星电子宣布,其位于韩国华城的半导体临盆线V1曾经开端量产。

三星

V1临盆线是三星第一个努力于极端紫外线(EUV)光刻技巧的半导体临盆线,今朝正应用7纳米及以下工艺节点临盆芯片。随着产量的增长,到2020岁尾,该临盆线将使EUV的制造才能增长两倍。

V1临盆线于2018年2月开工,并于2019年下半年开端测试晶圆临盆,首批产品将于本年第一季度交付给客户。

今朝,V1临盆线正在采取7纳米和6纳米工艺技巧临盆最早辈的移动芯片,将来将可采取最高3纳米工艺节点来代工。

按照三星的筹划,2020岁尾前,V1临盆线的累计总投资将达到60亿美元,7nm及以下工艺节点的总产能估计将是2019年的3倍。

随着V1临盆线投入应用,三星今朝在韩国和美国共有6条代工临盆线,个中包含5条12英寸临盆线和1条8英寸临盆线。

2018岁尾,异样位于华城的S3晶圆厂开端了7LLP工艺的初步临盆。(小狐狸)

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